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PSMN1R9-40YSDX 发布时间 时间:2025/9/14 0:44:58 查看 阅读:13

PSMN1R9-40YSDX 是一款由 NXP(恩智浦)公司推出的功率 MOSFET,广泛应用于汽车电子、工业控制和电源管理等领域。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高功率密度,适用于高效率、高可靠性的功率转换系统。PSMN1R9-40YSDX 采用 8 引脚的 DFN 封装(Dual Flat No-leads),具有良好的热管理和电气性能,适合在高电流、高开关频率的条件下工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):160A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值)
  最大功耗(Ptot):120W
  封装形式:DFN8(5x6mm)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

PSMN1R9-40YSDX 具有极低的导通电阻,使得在高电流工作时损耗更小,提高了整体效率。其采用的先进沟槽技术有效降低了开关损耗,使其适用于高频率开关应用。该器件的封装设计优化了热性能,使热量能够更有效地传导到 PCB 或散热器,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  此外,PSMN1R9-40YSDX 具有良好的短路耐受能力,能够在极端工况下提供更高的安全性。该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路设计,提高了设计灵活性。
  在汽车电子应用中,PSMN1R9-40YSDX 符合 AEC-Q101 汽车级认证,能够满足汽车系统对高可靠性和耐环境能力的严格要求。其高耐压能力(40V)和大电流能力(160A)使其适用于车载电机控制、电池管理系统(BMS)以及 DC-DC 转换器等关键系统。

应用

PSMN1R9-40YSDX 主要用于需要高电流、低导通损耗和高效率的功率应用中。常见应用包括汽车电子系统(如电动助力转向、车身控制模块、车载充电器)、工业电机驱动、电源转换模块(如同步整流、负载开关)、电池管理系统(BMS)以及高功率密度 DC-DC 转换器。
  在新能源汽车领域,该器件广泛应用于车载 OBC(车载充电机)和 DC-DC 转换模块中,用于实现高效的能量转换和管理。在工业自动化系统中,PSMN1R9-40YSDX 可用于高功率电机驱动和负载开关,提升系统的整体效率和可靠性。

替代型号

IPB013N04LC G | SQJQ160EP | SiR188DP | BSC013N04LC11

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PSMN1R9-40YSDX参数

  • 现有数量1,040现货
  • 价格1 : ¥17.81000剪切带(CT)1,500 : ¥8.77039卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.9 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)80 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6198 pF @ 20 V
  • FET 功能肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值)194W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669