时间：2025/8/23 18:27:39
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TT150N26KOF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专为高功率、高效率的应用设计，广泛用于工业电机控制、电源转换器、电动汽车和可再生能源系统等需要高电流和高电压能力的场合。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：260V
最大漏极电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ（典型值）
最大功耗(Ptot)：400W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
TT150N26KOF具有出色的电气和热性能，是高功率应用的理想选择。其核心特性包括低导通电阻（Rds(on)），这显著减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，增强了电流处理能力和热稳定性。
此外，TT150N26KOF具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。其设计支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。TO-247封装形式确保了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
该MOSFET还具有较高的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。其栅极驱动电压范围宽，通常在10V至20V之间，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。
TT150N26KOF因其高电流和高电压能力，广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动、电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源）、电动汽车的电池管理系统、太阳能逆变器和储能系统。它还常用于UPS（不间断电源）系统、焊接设备、电能质量控制设备以及各种需要高效能功率开关的场合。
STP150N26KOF, TT150N26KOFAG
