型号：2SK3617-TL-E
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：8.5A
　　脉冲漏极电流IDM：34A
　　导通电阻RDS(on)：最大9.5mΩ（VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：最大12mΩ（VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压Vth：典型值1.2V，范围0.8V~2.0V
　　输入电容Ciss：约1330pF（VDS=15V, VGS=0V）
　　输出电容Coss：约470pF（VDS=15V, VGS=0V）
　　反向传输电容Crss：约80pF（VDS=15V, VGS=0V）
　　总栅极电荷Qg：约14nC（VDS=15V, ID=8.5A, VGS=10V）
　　功耗PD：2W（TC=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini

2SK3617-TL-E具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流应用场景下，能够有效减少发热，提高电源转换效率。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为9.5mΩ，而在驱动电压较低的4.5V条件下，仍可维持12mΩ的低阻值，这表明该器件对不同驱动条件具有良好的适应能力，适用于多种控制架构，包括使用逻辑电平信号直接驱动的应用。
　　其次，该器件采用了东芝先进的沟槽结构设计，不仅提升了载流子迁移率，还增强了器件的电流处理能力。这种结构优化使得单位面积内可实现更高的电流密度，从而在小型封装内实现高性能输出。同时，较低的栅极电荷（Qg约为14nC）和米勒电荷（Qgd）减少了开关过程中的能量损耗，加快了开关速度，特别适合高频开关电源应用，如同步整流DC-DC变换器、负载开关和电机驱动电路等。
　　再者，2SK3617-TL-E的输入、输出及反向传输电容均经过优化，有助于抑制噪声传播并提升系统的EMI性能。其Ciss约为1330pF，在高频应用中可减少不必要的谐振现象；而较低的Crss则有助于降低开关瞬态过程中的寄生振荡风险，提升系统稳定性。此外，该器件具有较高的雪崩耐量和良好的热稳定性，能够在突发过压或负载突变情况下保持可靠运行。
　　最后，S-Mini封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可实现有效的热传导，避免局部过热。该封装符合工业标准，便于自动化贴片生产，提高了生产效率和产品一致性。综合来看，2SK3617-TL-E凭借其低RDS(on)、快速开关响应、高可靠性及紧凑封装，成为现代高效电源系统中的理想选择。

2SK3617-TL-E主要应用于需要高效率、小尺寸和高频率工作的电源系统中。典型应用包括便携式电子设备的DC-DC降压转换器，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的多相 buck 转换器，用于为主处理器、内存和其他核心组件提供稳定的低压大电流供电。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性有助于最大限度地减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　此外，该器件也广泛用于同步整流电路中，替代传统的肖特基二极管，以提升转换效率。在隔离型或非隔离型AC-DC适配器、USB PD充电器以及PoE（Power over Ethernet）供电设备中，2SK3617-TL-E可用于次级侧同步整流，显著降低整流损耗，提高整体能效。
　　在电池管理系统（BMS）和负载开关电路中，该MOSFET可用于电源路径控制，实现快速开启与关闭，防止反向电流流动，并提供过流保护功能。由于其栅极阈值电压较低，可兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，因此非常适合由微控制器或专用电源管理IC直接控制的应用场景。
　　其他应用还包括LED驱动电源、电机驱动H桥中的低端开关、热插拔控制器以及各类工业和消费类电子产品的电源模块。得益于其高可靠性和符合环保标准的设计，2SK3617-TL-E也被广泛用于汽车电子辅助系统、医疗便携设备以及通信模块中，满足严苛环境下的长期稳定运行需求。

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