TT106N18KOF 时间：2025/8/23 17:19:37 阅读：15

TT106N18KOF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关和电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏源电压（VDS）：180V
　　导通电阻（RDS(on)）：约6.5mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：300W
　　封装形式：TO-247

特性

TT106N18KOF具有多项优越的电气特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作状态下具有较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高漏源电压（180V）和大电流容量（110A）使其适用于高功率应用场景，如工业电源和电机驱动器。此外，MOSFET采用了先进的PowerMESH技术，提供优异的热稳定性和较高的可靠性。TO-247封装形式不仅具备良好的散热性能，还能适应高温环境下的稳定运行。该器件还具有快速开关能力，减少开关损耗，并支持高频操作，适用于各种高性能电源转换系统。
　　在安全和保护方面，TT106N18KOF具备较高的抗静电能力和良好的短路耐受性，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。此外，其栅极电压范围为±20V，支持多种驱动电路设计，提高应用的灵活性。

应用

该MOSFET广泛应用于多个领域，包括工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、光伏逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电设备等。由于其高效率和高可靠性，TT106N18KOF也常用于高功率LED照明系统、智能电网设备以及各种高功率消费类电子产品中。其优异的性能使其成为设计高功率密度、高效率电源解决方案的理想选择。