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HY62WT081ED70I 发布时间 时间:2025/9/2 10:18:06 查看 阅读:7

HY62WT081ED70I是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问特性,适用于需要高性能存储解决方案的各类电子设备。该SRAM芯片的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在各种嵌入式系统和工业控制设备中使用。

参数

类型:静态随机存取存储器(SRAM)
  容量:8Mbit(1M x 8)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行
  数据总线宽度:8位
  读写操作支持:异步

特性

HY62WT081ED70I SRAM芯片具有多项显著的性能优势。首先,其高速访问时间为70ns,能够满足高性能嵌入式系统对快速数据存取的需求。其次,该芯片支持异步操作,使得在不依赖系统时钟的情况下,可以灵活地进行数据的读取和写入操作,提高了系统的兼容性和适应性。此外,该器件采用低功耗CMOS工艺,在保证高性能的同时,有效降低了功耗,适用于对能效有较高要求的工业和通信设备。
  该芯片还具备良好的稳定性和可靠性,支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其在不同的电源条件下均能稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,确保在极端温度条件下的可靠运行。此外,HY62WT081ED70I的54引脚TSOP封装设计,不仅节省空间,还提升了散热性能,适合高密度PCB布局。

应用

HY62WT081ED70I广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的系统中。例如,它常被用于工业控制设备、网络设备、通信模块、测试仪器以及嵌入式系统中的临时数据存储。此外,由于其异步接口和宽电压特性,该芯片也常用于需要与多种微控制器或处理器配合使用的场景,如数据缓存、程序存储、图形缓冲等。

替代型号

ISSI IS62WV08168A-70BLLI、Cypress CY62148EDEI-70ZS、Microchip 23K640-I/SN

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