时间：2025/10/7 0:04:40
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UPM2C100MPD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和负载开关等场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，确保在低栅极电压下实现高效的导通性能，适用于电池供电设备和便携式电子产品中的高效能开关应用。UPM2C100MPD具有低导通电阻、高电流处理能力以及良好的热稳定性，使其成为许多现代电子系统中理想的功率控制解决方案。其封装形式为S-Mini3（双引脚），尺寸紧凑，适合对空间要求较高的应用环境。该MOSFET设计用于在低电压逻辑信号控制下实现高效率的电源路径控制，支持多种工作模式下的稳定运行。
这款器件特别适合用于需要低静态功耗和快速响应时间的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品中的电源管理模块。由于其P沟道结构，无需额外的电荷泵电路即可实现高边开关功能，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，UPM2C100MPD具备优良的抗浪涌能力和过温保护特性，在异常工作条件下仍能保持可靠运行。产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其不仅适用于工业与消费类领域，也可用于汽车电子系统中对可靠性要求较高的场合。
型号：UPM2C100MPD
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：420pF @ VDS=10V
反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快恢复
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-Mini3
安装方式：表面贴装
通道数：单通道
UPM2C100MPD的核心优势之一是其出色的低导通电阻性能，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下也能维持60mΩ的低阻值，这意味着它可以在由3.3V或甚至更低逻辑电平直接驱动的情况下高效工作，无需额外的电平转换或驱动电路。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池续航时间，同时减少发热问题。
其次，该器件采用了ROHM专有的沟槽栅极工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度，从而实现了小封装下的高电流承载能力。其最大连续漏极电流可达-4.4A，峰值电流更高，足以应对瞬态负载变化。结合S-Mini3小型化封装，使得UPM2C100MPD在PCB布局上占用极小空间，非常适合高度集成的移动设备主板设计。
热性能方面，UPM2C100MPD表现出优异的散热能力。尽管封装体积小，但通过优化内部结构和材料选择，确保了良好的热传导路径，使器件能够在高负载条件下长时间稳定运行。其最高工作结温可达+150°C，并具备良好的热关断裕度，增强了系统在高温环境下的可靠性。
此外，作为P沟道MOSFET，UPM2C100MPD天然适用于高边开关配置，能够直接控制电源正极的通断，避免了N沟道MOSFET所需的复杂自举电路或专用驱动器。这种简化的拓扑结构不仅降低了BOM成本，还提升了设计灵活性。同时，该器件具备较强的抗静电（ESD）能力和良好的噪声抑制特性，能够在复杂的电磁环境中保持稳定操作。
UPM2C100MPD主要应用于各类便携式电子设备的电源管理系统中，特别是在需要高效率、小体积和高可靠性的场景下表现突出。典型应用包括智能手机和平板电脑中的电池电源开关、USB接口电源控制、LCD背光驱动电路以及各类外设模块的电源启停控制。由于其支持低电压逻辑直接驱动，常被用于连接微控制器GPIO引脚来实现对外部负载的精确上电时序管理。
在工业控制领域，该器件可用于传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）的电源门控，以降低待机功耗，提升系统能效。此外，在汽车电子系统中，UPM2C100MPD也适用于车身控制模块、信息娱乐系统电源管理单元以及车载摄像头模组的电源切换，得益于其通过AEC-Q101认证，具备车规级可靠性。
另一个重要应用方向是热插拔电路和负载开关设计。UPM2C100MPD可以有效限制启动时的浪涌电流，防止因大容量电容充电导致的电源跌落，从而保护主电源系统。配合外部RC网络或专用控制器，可实现软启动功能，进一步提升系统稳定性。此外，它还可用于电池充放电路径控制、多电源选择开关以及冗余电源切换等复杂电源架构中，提供安全可靠的电力传输路径。
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