型号：TSU5N60M
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：3V～5V
　　输入电容（Ciss）：580pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装形式：TO-220

TSU5N60M采用STMicroelectronics独有的超级结（Super Junction）技术，这一技术通过在硅片中交替排列P型和N型掺杂区域，显著降低了器件的导通电阻（RDS(on)），同时保持了高击穿电压能力。这种结构打破了传统MOSFET在导通电阻与耐压之间的权衡关系，使得TSU5N60M在600V等级下仍能实现低至1.2Ω的典型RDS(on)，有效减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。
　　该器件具有出色的开关特性，其输入电容和输出电容较小，配合快速的栅极电荷响应能力，使其在高频开关应用中表现出色。低栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低驱动损耗并简化驱动设计。同时，较短的反向恢复时间（trr）减少了体二极管在开关过程中的反向恢复电荷，抑制了电流尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性与可靠性。
　　TSU5N60M具备良好的热性能和长期可靠性。其TO-220封装提供了较大的散热面积，能够有效传导芯片产生的热量，避免因局部过热导致的性能下降或失效。器件经过严格的雪崩测试，具备一定的抗雪崩能力，可在瞬态过压情况下维持正常工作，增强了在恶劣工况下的鲁棒性。此外，该MOSFET对dv/dt和di/dt具有较强的耐受能力，适合在高动态负载变化的环境中使用。
　　在安全与合规方面，TSU5N60M符合多项国际标准，包括IEC 60747-7关于功率MOSFET的安全规范，并满足RoHS和REACH环保要求。其栅氧化层经过优化设计，提高了抗静电（ESD）能力和长期栅极可靠性，避免因栅极击穿引起的早期失效问题。这些特性使TSU5N60M成为高性能电源转换系统中理想的功率开关元件。

TSU5N60M主要应用于需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。其最常见的用途是作为主开关管出现在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等拓扑结构的开关电源（SMPS）中，特别是在适配器、充电器、电视机电源板和小型服务器电源模块中广泛应用。由于其具备600V的高耐压能力和良好的效率表现，它非常适合用于将交流市电（如85V～265V AC）整流升压后进行DC-DC转换的应用场景。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，TSU5N60M常被用作升压斩波电路中的开关器件。PFC级旨在提高电源系统的输入功率因数，减少谐波电流注入电网，满足IEC 61000-3-2等电磁兼容性法规要求。TSU5N60M的低RDS(on)和快速开关特性有助于降低PFC级的传导损耗和开关损耗，从而实现更高的系统效率，尤其在轻载和满载条件下均能保持良好性能。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，特别是大功率LED路灯、工业照明和商业照明系统中的隔离式或非隔离式恒流源设计。其稳定的开关行为和良好的热管理能力确保了长时间运行的可靠性。在太阳能微型逆变器、 uninterruptible power supplies (UPS) 和电机控制辅助电源中，TSU5N60M同样可发挥关键作用。
　　得益于其坚固的封装和电气特性，TSU5N60M也可用于工业自动化设备、医疗电源模块以及家用电器中的内置电源单元。无论是连续工作还是间歇运行，该器件都能提供稳定可靠的开关性能，满足多种严苛环境下的应用需求。

STP5NK60ZFP, STP5NM60FD, FQP5N60C, IRFBC40