晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-223
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：1GHz
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据工作电流不同）
　　封装尺寸：6.7 x 3.7 x 1.7mm

LN4501LTIG是一款高性能的NPN晶体管，特别适用于射频和高速模拟电路设计。其高频特性使其能够在1GHz的增益带宽积下稳定工作，满足射频放大和混频等复杂应用的需求。该晶体管采用了先进的硅双极型工艺制造，具有良好的线性度和低噪声系数，适用于高保真度信号处理场景。
　　此外，LN4501LTIG具备较高的电流增益（hFE）范围，通常在100至800之间，具体数值取决于工作电流条件，这使得它在小信号放大和开关应用中都表现出色。其SOT-223封装不仅具有良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和紧凑型电路设计。
　　该晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间稳定运行，适用于各种恶劣环境下的电子设备。同时，其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，具备较强的抗压能力和稳定性，适用于中等功率的放大和开关控制任务。

LN4501LTIG因其高频特性和优异的增益性能，广泛应用于射频通信系统中的放大器、混频器和振荡器模块。该晶体管也常用于无线基础设施设备、测试测量仪器、低噪声放大器（LNA）以及需要高频响应的工业控制电路。此外，由于其良好的线性度和稳定性，LN4501LTIG也适合用于音频放大器前端电路和高速开关应用。

PN2222A, 2N3904, BFQ59, BFG21, BFR92A