BCM857DS,115是一款由Broadcom(安华高)生产的双极型晶体管(BJT)阵列芯片。该芯片内含两个NPN晶体管,通常用于高频放大、开关电路以及逻辑电平转换等应用。该器件封装在小型6引脚TSSOP封装中,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和高频响应特性。BCM857DS,115广泛应用于通信设备、消费电子、工业控制等领域。
晶体类型:双极型晶体管(NPN)
配置:双晶体管阵列
集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功率耗散(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
增益带宽积(fT):250MHz
封装类型:TSSOP,6引脚
BCM857DS,115具备出色的高频性能,适合用于射频(RF)和高速数字电路中的信号放大与切换。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管,可有效减少PCB板上的元件数量,提高系统集成度。其低饱和电压和快速开关特性,使其在低功耗设计中表现出色。此外,BCM857DS,115采用小型TSSOP封装,适用于空间受限的高密度电路设计。由于其良好的热稳定性和可靠性,该器件在工业和通信应用中广受欢迎。
该芯片的制造工艺采用了先进的硅外延平面技术,确保了器件的稳定性和一致性。每个晶体管的电流增益(hFE)在不同工作条件下都能保持较高的线性度,适合用于模拟信号放大。此外,BCM857DS,115的封装材料符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
BCM857DS,115广泛应用于各类电子设备中,如无线通信模块、数字逻辑电路、电源管理电路、信号调理电路以及接口转换电路等。在通信设备中,它可用于射频前端的小信号放大或作为开关控制元件;在消费类电子产品中,常用于LED驱动、继电器控制和传感器信号放大;在工业控制系统中,可作为继电驱动器或高速开关使用。此外,该器件也常用于数字电路中的电平转换,如将微控制器的输出信号转换为适合驱动其他外围设备的电压电平。
BC847DS,115, BCX56-10,215, MMBT3904LT1G