TSM4NB60CHC5G 时间：2025/8/1 20:46:19 阅读：35

TSM4NB60CHC5G 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和快速的开关性能，适合用于如DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装类型：TO-247

特性

TSM4NB60CHC5G MOSFET具有多种显著的特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其高电流处理能力（180A）使其适用于高功率密度设计。
　　其次，该器件采用了东芝的先进沟槽栅极技术，提供了优异的开关性能，减少开关损耗，同时提高了器件的稳定性和可靠性。其60V的漏源电压额定值适合用于多种中压功率转换应用。
　　此外，该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够有效管理热应力，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了其在严苛环境中的耐用性。
　　最后，TSM4NB60CHC5G支持快速恢复二极管集成选项，使其在同步整流等应用中表现出色。这些特性共同确保了其在高要求工业和汽车应用中的可靠性和性能。

应用

TSM4NB60CHC5G MOSFET主要应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。例如，它被广泛用于DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器，以提高转换效率并减小系统尺寸。
　　此外，该器件也常用于电机驱动和逆变器系统，其高电流能力和快速开关特性使其能够有效地控制大功率负载。
　　在工业自动化设备和服务器电源系统中，TSM4NB60CHC5G能够提供稳定的功率管理解决方案。由于其优异的热性能和高可靠性，它也适用于汽车电子系统中的高功率需求模块，如车载充电器和DC-AC逆变器。
　　总之，该器件凭借其优异的电气性能和坚固的封装设计，成为多种高功率应用的理想选择。