电容值：5600 pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50 V
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　结构类型：多层陶瓷电容器（MLCC）

RCH855NP-562K 采用X7R介质材料，具备良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的范围内，电容值的变化率不超过±15%。这种特性使其非常适合在温度变化较大的环境中使用，如汽车电子系统和工业控制设备。
　　此外，该型号具有优异的高频特性，能够在高频电路中保持稳定的阻抗表现，从而有效滤除噪声和稳定电压。其低ESR设计也有助于减少电容器在高频下因自身发热而造成的能量损耗，提高系统的整体效率。
　　作为MLCC（多层陶瓷电容器），RCH855NP-562K 还具有高耐压性能（额定电压为50V），适用于需要一定耐压能力的电路设计场景。同时，该型号采用无极性结构，无需考虑极性安装，简化了PCB布局与焊接流程。
　　该电容器还具有良好的机械强度和抗湿性能，能够适应SMT（表面贴装技术）工艺流程，适用于自动化生产，提高了制造效率和产品可靠性。

RCH855NP-562K 适用于多种电子设备和系统，广泛用于滤波、去耦、旁路和信号耦合等典型电路应用场景。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该型号电容器常用于电源去耦和信号处理电路，以提升设备的稳定性和抗干扰能力。
　　在工业控制领域，该电容器可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和电机驱动电路中，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。同时，其高可靠性也使其成为汽车电子应用的理想选择，如车载娱乐系统、发动机控制单元（ECU）和车载导航系统等。
　　此外，该型号还可用于通信设备中，如基站模块、无线接入点和路由器，用于电源稳压、滤波和信号调节电路，以确保信号传输的稳定性和清晰度。

CL21B562KBQNNXC, GRM21BR71H562KA01L, C0805C562K5RACTU