时间：2025/7/23 9:34:11
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STH180N10F3-6 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子等高功率需求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：180A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
STH180N10F3-6 的关键特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用先进的Power MOSFET技术，提供良好的开关性能，减少开关过程中的能量损耗。该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。其TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还确保了机械稳定性，适用于高电流和高功率密度设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的开发。
该MOSFET广泛应用于多种高功率电子设备中，例如：
1. 电源供应器中的同步整流和DC-DC转换器；
2. 电动车辆和混合动力汽车中的电机驱动和电池管理系统；
3. 工业自动化设备中的高功率开关和电机控制电路；
4. 不间断电源（UPS）和储能系统；
5. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
STP180N10F3-6AG, STH180N10F3AG, STP180N10F3-6
