VN5T006ASP-E 时间：2025/5/23 4:31:02 阅读：3

VN5T006ASP-E 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 STMicroelectronics 生产。该器件采用小型化封装，适合用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合在电源管理、电机驱动以及负载切换等应用中使用。
　　这款 MOSFET 的最大特点是其超低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，该器件具备良好的热性能和电气性能，适用于各种消费类电子产品及工业设备。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：6.8A
　　导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ（典型值，于 Vgs=10V 时）
　　总功耗：1.7W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：DSO5N

特性

1. 超低导通电阻，可有效降低功率损耗。
　　2. 高开关速度，支持高频操作。
　　3. 小型封装，节省 PCB 空间。
　　4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 可靠性高，适用于长时间运行的设备。
　　7. 支持过热保护功能，提升系统安全性。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池供电设备中的负载切换控制。
　　3. 消费类电子产品的电机驱动电路。
　　4. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动。
　　5. 便携式设备中的高效功率管理方案。
　　6. 电信和网络设备中的电源管理模块。
　　7. LED 驱动和照明控制系统。