TSM2310CX 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,非常适合空间受限的应用场景。此外,该 MOSFET 具有良好的热稳定性和电气性能,适合在各种工业及消费类电子产品中使用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:160mΩ
总功耗:450mW
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:SOT-23
TSM2310CX 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保高效率运行。
2. 快速的开关速度,适用于高频应用。
3. 高雪崩能力,提升了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化的 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
5. 工作温度范围宽广,适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
7. 提供了出色的 ESD 防护能力,提高了产品可靠性。
TSM2310CX 广泛用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流和 DC-DC 转换。
2. 消费类电子产品的负载开关控制。
3. 手机和平板电脑等便携式设备中的电池管理。
4. LED 照明驱动电路。
5. 各种工业控制和电机驱动应用。
6. 数据通信设备中的信号切换和保护电路。
AO3400
IRLML6401
FDMQ8203