您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > UDN2580LW-T

UDN2580LW-T 发布时间 时间:2025/7/29 23:47:51 查看 阅读:7

UDN2580LW-T是一款由Allegro MicroSystems公司生产的高边N沟道MOSFET驱动器集成电路,专为需要高电压和高电流能力的功率控制应用设计。该芯片广泛用于汽车电子、工业自动化和电机控制等场合。UDN2580LW-T采用先进的BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺制造,具备出色的抗干扰能力和热稳定性。该器件提供了一个紧凑而高效的解决方案,适用于驱动大功率负载,如继电器、电磁阀、直流电机和LED照明系统等。

参数

类型:高边N沟道MOSFET驱动器
  电源电压:4.5V 至 40V
  输出电流:最大2A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TSSOP
  输入信号类型:CMOS/TTL兼容
  保护功能:过流保护、过温保护、欠压锁定
  响应时间:典型值1.5μs
  导通电阻(RDS(on)):典型值0.35Ω(高侧+低侧)

特性

UDN2580LW-T具备多项关键特性,使其在复杂的应用环境中表现出色。首先,其宽广的电源电压范围(4.5V至40V)使其能够适应多种供电条件,包括汽车电池供电系统和工业电源系统。该器件的输出电流能力高达2A,可以驱动大功率负载,如高压电磁阀和大功率LED阵列。
  此外,UDN2580LW-T集成了多种保护功能,确保系统在异常情况下的稳定运行。这些保护包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),有效防止器件因过载、过热或电源电压不稳定而损坏。其响应时间仅为1.5μs,使得系统能够快速做出反应,提高整体安全性和可靠性。
  该芯片的输入信号与CMOS和TTL逻辑电平兼容,简化了与微控制器或其他数字控制电路的接口设计。同时,其低导通电阻(RDS(on))为0.35Ω,有助于减少功率损耗,提高能效。UDN2580LW-T采用TSSOP封装,提供了良好的热管理和空间节省,适用于紧凑型电路板设计。

应用

UDN2580LW-T主要用于汽车电子系统、工业自动化设备和电机控制模块中。在汽车应用中,它可以用来驱动电动座椅、车窗、天窗和大灯系统等部件。在工业领域,该器件常用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代方案和电磁阀控制系统。此外,UDN2580LW-T还可用于LED照明系统,尤其是高亮度LED驱动应用,提供高效、稳定的电流控制。
  由于其集成的保护功能和强大的输出能力,UDN2580LW-T非常适合在苛刻的电气环境中使用,如存在高电压波动、高温或高电流负载的场合。这使得它成为汽车、工业和消费类电子产品中功率控制的理想选择。

替代型号

AEC-UDN2580LW-T, UDN2980AW, DRV8412, HIP4080, UDN2577LW-T

UDN2580LW-T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价