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ZLNB102N8 发布时间 时间:2025/7/18 16:43:55 查看 阅读:10

ZLNB102N8 是一款由 Zetex(现为 Diodes 公司的一部分)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):80A(在 Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(最大值,Vgs=10V)
  功耗(Pd):250W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PowerPAK SO-8 双散热片封装

特性

ZLNB102N8 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得其导通电阻(Rds(on))非常低,从而减少了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,其 PowerPAK SO-8 封装设计具有优异的散热性能,能够在高电流条件下保持较低的结温,确保器件长期稳定运行。
  ZLNB102N8 还具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 20V),适用于多种驱动电路设计,包括使用标准逻辑电平驱动的应用场景。
  该 MOSFET 的高可靠性和紧凑封装使其成为高性能电源系统中的理想选择。其设计还支持并联使用,以进一步提高电流承载能力,适用于需要大电流输出的 DC-DC 转换器和电机驱动电路。

应用

ZLNB102N8 主要用于需要高效功率切换和大电流承载能力的场合。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、服务器和通信设备的电源系统、电池管理系统(BMS)、电动工具和电动车控制器、电机驱动器以及负载开关电路。
  由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适用于要求高效率和低发热的电源设计。在汽车电子领域,ZLNB102N8 也可用于车载充电系统和电池管理系统,以提高能效和可靠性。
  此外,ZLNB102N8 的封装形式使其适用于表面贴装工艺,便于实现自动化生产和紧凑的电路板布局。

替代型号

SiSS810DN, NexFET CSD17551Q5A, IRF6718, FDMS86180

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