ZLNB102N8 时间：2025/7/18 16:43:55 阅读：11

ZLNB102N8 是一款由 Zetex（现为 Diodes 公司的一部分）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双散热片封装

特性

ZLNB102N8 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得其导通电阻（Rds(on)）非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，其 PowerPAK SO-8 封装设计具有优异的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的结温，确保器件长期稳定运行。
　　ZLNB102N8 还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），适用于多种驱动电路设计，包括使用标准逻辑电平驱动的应用场景。
　　该 MOSFET 的高可靠性和紧凑封装使其成为高性能电源系统中的理想选择。其设计还支持并联使用，以进一步提高电流承载能力，适用于需要大电流输出的 DC-DC 转换器和电机驱动电路。

应用

ZLNB102N8 主要用于需要高效功率切换和大电流承载能力的场合。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、服务器和通信设备的电源系统、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车控制器、电机驱动器以及负载开关电路。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于要求高效率和低发热的电源设计。在汽车电子领域，ZLNB102N8 也可用于车载充电系统和电池管理系统，以提高能效和可靠性。
　　此外，ZLNB102N8 的封装形式使其适用于表面贴装工艺，便于实现自动化生产和紧凑的电路板布局。