类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247AD
　　导通电阻（RDS(on)）：最大3.0mΩ（@VGS=10V，ID=60A）
　　栅极电荷（Qg）：80nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2800pF（典型值）

TSM120NA03CR 采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽技术，使其在高电流和高频率下具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗。此外，该MOSFET的封装设计优化了热管理，提高了器件在高功率应用中的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围为4.5V至20V，使其适用于多种栅极驱动器设计，包括低电压控制的系统。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　在短路和过载条件下，TSM120NA03CR 也表现出良好的鲁棒性，具有较高的雪崩能量承受能力。此外，其低Qg和Ciss参数有助于减少驱动损耗，使器件在高频应用中表现优异。
　　该MOSFET采用TO-247AD封装，具备良好的散热能力，适合用于需要高功率密度和高可靠性的应用环境。

TSM120NA03CR 适用于多种高功率电子系统，如服务器电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车（EV）充电器和工业电机控制电路。其高电流能力和低导通电阻使其在高效率电源转换器中特别受欢迎。
　　在电源设计中，该器件可作为主开关用于同步降压或升压拓扑结构中。此外，其高耐压特性也使其适用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车应用。

TSM120NA03CR 的替代型号包括TSM140NA03CL、TSM100NA03CL和TSM160NA03CL。这些型号在某些电气参数或封装形式上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。