时间：2025/8/24 11:00:53
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FDPF12N60是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流容量，适用于电源转换、电机控制和开关电源（SMPS）等场合。FDPF12N60采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：600V
漏极-栅极电压（VDG）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：12A
功率耗散（PD）：43W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
FDPF12N60 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高压开关电路，能够稳定运行在如开关电源、逆变器和电机驱动等应用中。其次，该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，FDPF12N60具有良好的热稳定性，TO-220封装设计提供了良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持+10V至+20V的驱动电压，便于与多种控制电路兼容。其快速开关特性也减少了开关损耗，提升了整体系统的响应速度和效率。FDPF12N60还内置了反向二极管（体二极管），在一些需要续流功能的电路中可以省去外接二极管，简化电路设计。
此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于多种工业和消费类电子产品中。由于其可靠性和耐用性，FDPF12N60被广泛用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、照明电源、UPS系统以及电动工具等应用中。
FDPF12N60主要应用于各类功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、LED驱动电源、充电器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压和大电流能力，它也适用于高压负载开关、家电控制和电动交通工具中的功率管理模块。
FQP12N60C, IRFBC20, STP12NM60N, FDPF15N60
