时间：2025/4/28 16:59:54
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TS5MP646NYFPR 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用 N 沟道增强型技术设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，广泛应用于各种功率转换和控制电路中。它适用于需要高效能和高可靠性的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。
该型号特别优化了静态和动态性能，确保在高频工作条件下仍能保持较低的功耗和优异的热稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：64A
导通电阻 Rds(on)：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷 Qg：85nC
输入电容 Ciss：3300pF
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TS5MP646NYFPR 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力（最高达 64A），适合大功率应用。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于降低开关损耗并支持高频操作。
4. 增强的热性能和可靠性，能够在极端温度范围内稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装。
6. 小型封装设计，节省 PCB 空间，同时提供出色的电气性能。
该芯片适用于多种工业和消费类电子领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子设备中的负载切换与控制。
4. 工业自动化系统中的功率管理模块。
5. LED 驱动器和电池充电解决方案。
6. 通信设备中的信号调节和保护电路。
TS5MP646DYFPR, IRF640N, FDP5570N
