类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A（在TC=25°C时）
　　最大漏-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为8.5mΩ（当VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：DFN5x6、TSSOP等

CG2107的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。其低RDS(on)设计显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。此外，该器件的高耐压能力使其能够在较为严苛的工作环境中稳定运行，适用于高可靠性和高效率要求的应用场景。CG2107还具备快速开关特性，能够支持高频开关操作，减少开关损耗，适用于DC-DC转换器和马达控制电路。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，兼容多种控制电路设计。此外，CG2107采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该器件还具备一定的抗静电能力，能够在一定程度上防止因静电放电导致的损坏。

CG2107广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动器、负载开关、LED驱动电路以及工业自动化控制系统。在电源管理领域，CG2107常用于同步整流、电压调节和功率因数校正电路。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路。在马达控制应用中，CG2107可以作为H桥驱动电路中的功率开关，实现高效的马达控制。此外，CG2107也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品、通信设备和汽车电子系统。

Si9410BDY、IRL3803、FDS6680、NVTFS5C471NL、FDMS86180、CG2106、CG2102