时间：2025/5/15 13:25:06
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TS3A225E 是一款高性能、低电容的单刀双掷 (SPDT) 模拟开关，适用于需要低插入损耗和高信号完整性的应用。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，能够在宽电压范围内（1.6V 至 5.5V）工作，并支持高达 4GHz 的高频信号切换。
TS3A225E 具有超低导通电阻 (Ron)，能够确保在音频和射频应用中实现高质量的信号传输。此外，其极低的电容特性使其非常适合高速数据和视频信号切换场景。
供电电压范围：1.6V 至 5.5V
导通电阻 (Ron)：0.8Ω（典型值）
带宽：4GHz（-3dB 点）
输入电容：0.4pF（典型值）
开关时间：1ns（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WQFN-16 (2mm x 2mm)
TS3A225E 提供了卓越的电气性能，包括超低导通电阻和低电容设计，从而减少了信号失真并提高了系统性能。
该器件支持高达 4GHz 的带宽，适合各种高频应用场景，例如射频信号切换和高速数据传输。
此外，TS3A225E 在低功耗模式下表现出色，静态电流非常小，这使其成为电池供电设备的理想选择。
其小巧的 WQFN 封装有助于节省 PCB 空间，同时提供了良好的热性能和电气连接可靠性。
TS3A225E 广泛应用于消费电子、通信和工业领域，常见的应用包括：
1. 手机和便携式设备中的天线切换
2. 高速数据和视频信号切换
3. 音频信号路径控制
4. 射频前端模块中的信号路由
5. 工业自动化设备中的信号隔离与切换
TS3A227E, TS5A22369E
