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W632GG6MB-09 发布时间 时间:2025/8/21 4:21:25 查看 阅读:2

W632GG6MB-09是一款由Winbond公司生产的32GB的NAND闪存芯片。该芯片专为高性能和高可靠性设计,广泛应用于消费类电子设备、工业计算机、存储模块以及其他需要大容量非易失性存储的领域。NAND闪存以其快速的读写速度和较长的使用寿命而闻名,适合存储大量的数据。W632GG6MB-09在设计上支持多种纠错机制,以确保数据存储的稳定性,同时它也具备低功耗的特点,适合用于便携式设备中。

参数

容量:32GB
  接口类型:NAND闪存接口
  电源电压:1.8V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至85°C
  读取速度:高达50MB/s
  写入速度:高达20MB/s

特性

W632GG6MB-09 NAND闪存芯片具有多项显著特性。首先,它具备较大的存储容量,适用于多种存储需求。其高速读写能力使得数据传输效率更高,从而提升了整体系统性能。该芯片支持多种纠错码(ECC)功能,确保数据完整性,减少数据丢失的风险。此外,W632GG6MB-09还具备良好的耐用性,支持高达10,000次的擦写周期,适合需要频繁读写的应用场景。由于其低功耗设计,该芯片非常适合用于对功耗要求较高的便携设备中。最后,该芯片的工作温度范围较广,能够在极端环境下保持稳定运行,这使其适用于工业级应用。

应用

W632GG6MB-09被广泛应用于多个领域,包括但不限于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、工业计算机、数码相机、MP3播放器、便携式游戏设备、数据记录仪以及工业自动化设备。这款芯片的高可靠性与大容量存储特性,使其成为各种需要长期稳定存储解决方案的理想选择。无论是在消费电子还是工业设备中,W632GG6MB-09都能提供稳定可靠的存储支持。

替代型号

W632GQ6MC-09, W632GU6MA-09

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W632GG6MB-09参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1066 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)