TS271IDT 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的低功耗、高精度的运算放大器(Op-Amp)。该器件专为需要高精度和低漂移性能的应用而设计,采用单电源供电,适用于工业控制、测试测量设备以及电池供电系统等场景。TS271IDT 采用先进的BiCMOS工艺制造,具有出色的稳定性和可靠性。
类型:运算放大器
通道数:1
电源电压:2.7V 至 12V
静态电流:60μA(典型值)
输入失调电压:10μV(最大值)
输入失调电压漂移:0.15μV/℃(典型值)
输入偏置电流:1pA(典型值)
增益带宽积:1.2MHz
压摆率:0.5V/μs
共模抑制比(CMRR):90dB
电源抑制比(PSRR):90dB
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装类型:SO-8
TS271IDT 具备多项高性能特性,适合对精度和稳定性要求较高的应用环境。其低输入失调电压和极低的温度漂移特性,使其在精密测量和传感器信号调理中表现出色。该器件的输入偏置电流极低,适合用于高阻抗信号源的放大电路。此外,TS271IDT 支持宽范围的单电源供电,使其在多种电源环境下均能稳定工作。
该运放具有出色的共模抑制比和电源抑制比,能够有效抑制外部干扰信号,提升系统的整体性能。其1.2MHz的增益带宽积和0.5V/μs的压摆率使其适用于中频信号处理和滤波电路设计。TS271IDT 的内部保护电路设计也增强了其在工业环境中的可靠性和耐用性。
此外,TS271IDT 采用SO-8封装,便于PCB布局和焊接,适用于自动化生产流程。该器件在设计上充分考虑了功耗与性能之间的平衡,非常适合对功耗敏感的应用场景。
TS271IDT 广泛应用于多个领域,包括但不限于工业自动化控制、精密测量仪器、传感器信号调理、电池供电设备、数据采集系统以及医疗电子设备等。在传感器接口电路中,TS271IDT 可以用来放大微弱信号并提高信噪比;在电池供电系统中,其低功耗特性有助于延长设备的工作时间;在高精度测量仪器中,其低漂移和高稳定性能够确保测量结果的准确性。
该器件也常用于模拟滤波器设计、电压跟随器、积分器、微分器等基础模拟电路中。由于其出色的抗干扰能力,TS271IDT 也可用于恶劣电磁环境下的信号处理任务。
LMV358IDGKR, MCP6001T-E/OT, TLC271BCD