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R6011630XXYA 发布时间 时间:2025/8/7 13:57:03 查看 阅读:13

R6011630XXYA是一款由Renesas Electronics生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计,具有低导通电阻和高电流处理能力。这款MOSFET采用先进的工艺技术制造,能够在高频率和高功率密度的条件下稳定工作。R6011630XXYA广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备中,是高性能功率电子系统中的关键组件之一。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):11A
  导通电阻(RDS(on)):0.63Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

R6011630XXYA具备多项优异的电气和物理特性,使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先,其600V的漏源电压额定值使其能够适用于高压功率转换应用,如开关电源(SMPS)和逆变器。其次,该器件的导通电阻仅为0.63Ω,在高电流条件下依然保持较低的导通损耗,有助于提高系统效率并减少发热。
  该MOSFET采用了先进的沟槽栅极工艺,提升了开关性能和热稳定性。其快速的开关速度可有效降低开关损耗,适用于高频开关应用。此外,R6011630XXYA具有良好的热阻特性,可在高温环境下稳定运行,提高了器件的可靠性和寿命。
  封装方面,R6011630XXYA采用标准的TO-220封装,便于安装和散热管理。该封装形式广泛用于工业级功率电子设备中,具有良好的机械强度和电气隔离性能。由于其通用性,用户可以轻松地将该器件集成到各种电路设计中,并实现高效、稳定的功率转换。
  另外,R6011630XXYA在栅极驱动方面具有较低的输入电容和栅极电荷,这使得其驱动电路更加简单且功耗更低。这对于需要高频操作的应用尤为重要,可以减少驱动电路的复杂性和成本,同时提升整体系统的响应速度和效率。
  此外,该MOSFET具备良好的短路耐受能力,能够在突发的短路故障情况下保持稳定运行,从而提高系统的安全性和稳定性。这种特性对于高可靠性要求的应用,如工业自动化和汽车电子系统尤为重要。

应用

R6011630XXYA广泛应用于各种功率电子系统中,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,提供高效的能量转换能力。
  2. 电机控制:用于变频器、伺服驱动器和电机控制器中,实现精确的电机速度和转矩控制。
  3. 太阳能逆变器:在光伏逆变器系统中作为核心功率开关器件,提高能源转换效率。
  4. 电池管理系统:适用于电池充放电控制电路,确保电池组的安全运行。
  5. 工业自动化设备:如PLC控制器、工业机器人等,提供稳定可靠的功率控制能力。
  6. 家用电器:如空调、洗衣机等变频控制设备中,实现节能高效的电机驱动方案。

替代型号

R6011630XXY#XFP,R6011630XXY#XFC

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R6011630XXYA参数

  • 标准包装7
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)1600V(1.6kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)300A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.4V @ 800A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)13µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50mA @ 1600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-205AB,DO-9,接线柱
  • 供应商设备封装DO-205AB,DO-9
  • 包装散装