工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为 70 W（连续波）
　　增益：约 15 dB
　　效率：典型值为 60%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　工作电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　尺寸：约 32 mm x 25 mm

TQM829007 采用先进的 GaN 技术，具有高功率密度和优异的线性性能，适用于高要求的通信应用。其高效率设计可显著降低功耗，提高系统整体能效，同时减少散热需求，提升设备可靠性。
　　该模块支持宽频率范围，适用于 2.3 GHz 至 2.7 GHz 之间的多个通信频段，包括 LTE Band 40、Band 41 和 5G NR 相关频段。
　　TQM829007 的输入和输出端口匹配良好，减少了外部匹配电路的需求，简化了设计和布局，同时提高了系统稳定性。
　　其封装采用表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产和高密度 PCB 布局，提高了制造效率和产品一致性。
　　此外，该模块具有良好的热管理和过温保护功能，在高功率运行条件下仍能保持稳定的工作状态。

TQM829007 主要用于无线通信基础设施，如 LTE 基站、5G 小基站、无线中继和分布式天线系统。它也适用于工业和测试设备中的高功率射频放大需求，例如频谱分析仪、信号发生器和远程无线通信模块。

TQM829007 可以考虑的替代型号包括 TQM829005 和 TQM829010，具体取决于应用需求。TQM829005 提供类似的性能，但输出功率略低，而 TQM829010 则支持更宽的频率范围。