R2S15902FP 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88(Power-SO8),具备出色的散热性能和高电流处理能力,非常适合高密度、高性能的应用环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:74A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极阈值电压:1.3V
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
总功耗:120W
R2S15902FP 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效减少导通损耗。
2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的耐用性。
4. 小型化封装 LFPAK88 提供了良好的热性能和电气性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业要求。
R2S15902FP 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 各种电机驱动电路,如步进电机或无刷直流电机控制。
4. 高效负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
R2S15901FP, R2S15903FP