ADG819是一款超低电容、单刀双掷开关(SPDT)模拟开关,采用CMOS工艺制造,适用于要求低电荷注入和低导通电阻的应用。该器件具有出色的信号路径性能,能够在低功耗条件下运行,同时支持宽电源电压范围。ADG819BRTZ-REEL7是其一种封装形式,采用2mm x 3mm WLCSP封装,适合高密度电路板设计。
该开关在断开状态下可承受高达±40V的电压,在导通状态下提供平坦的频率响应和极低的导通电阻。因此,它非常适合用于数据采集系统、通信设备以及各种工业和消费类电子应用。
电源电压:±5V至±16.5V
导通电阻(RON):最大2.4Ω
电荷注入:±1pC
关断泄漏电流:±1nA(最大值)
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装形式:WLCSP-12
输入信号范围:±5V至±16V
带宽:-3dB时为110MHz
ADG819具备超低电容和电荷注入特性,这使其非常适合高速切换场景,并能最大限度地减少对敏感模拟信号的影响。
它的低导通电阻保证了信号失真最小化,同时支持高精度测量和控制。
由于其能够在较宽的电源电压范围内正常工作,因此可以轻松适应不同应用场景的需求。
此外,ADG819还具有较低的功耗,这对于电池供电设备尤为重要。
最后,该器件的高可靠性及耐压能力(±40V断态耐压)确保了其在恶劣环境下的稳定表现。
ADG819广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 数据采集系统中的多路复用器
2. 工业自动化控制设备
3. 医疗仪器如超声波设备和患者监护仪
4. 测试与测量仪器
5. 高速通信接口
6. 消费类电子产品中需要高性能开关的场合
凭借其优异的电气性能和小型化封装,ADG819成为现代电子设计的理想选择。
ADG819BRMZ-REEL7
ADG819BCPZ-RL7