BS2S7HZ7903 时间：2025/8/28 0:07:10 阅读：34

BS2S7HZ7903 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用，适用于电源管理系统、电机驱动器、DC-DC 转换器以及其他需要高功率密度的电子设备。BS2S7HZ7903 采用先进的半导体工艺制造，提供了优异的导通特性和较低的开关损耗，有助于提高整体系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.75mΩ（典型值，取决于栅极电压）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：HZIP（带散热片的高功率封装）

特性

BS2S7HZ7903 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了能效。其次，该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，能够在高负载条件下稳定运行。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具有良好的栅极抗干扰能力，从而增强了器件的稳定性和可靠性。其 HZIP 封装设计带有散热片，能够有效散热，确保在高功耗环境下保持较低的结温。
　　此外，BS2S7HZ7903 具有快速开关特性，减少了开关损耗，有助于提高开关电源和电机控制系统的整体效率。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）也使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。

应用

BS2S7HZ7903 常用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。例如，在汽车电子系统中，它可以作为电机驱动器、DC-DC 转换器或电池管理系统中的主开关元件。在工业自动化设备中，BS2S7HZ7903 可用于高功率负载的开关控制，如伺服电机、电磁阀和继电器驱动。
　　在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于同步整流、负载开关或功率因数校正（PFC）电路。此外，它也适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、电动工具和电池供电设备等应用领域。