您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TPT7741F-SOBR

TPT7741F-SOBR 发布时间 时间:2025/5/29 22:13:53 查看 阅读:7

TPT7741F-SOBR 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SO-8 封装形式。该器件广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。其低导通电阻和高电流能力使其成为节能设计的理想选择。
  TPT7741F-SOBR 的主要特点是具有较低的导通电阻 (Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时,它具备良好的开关特性和抗 ESD 性能,能够适应各种严苛的工作环境。

参数

型号:TPT7741F-SOBR
  封装:SO-8
  Vgs(th)(栅极阈值电压):2.0V 至 4.0V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):35mΩ(在 Vgs=10V 时)
  最大漏源电压 (Vds):60V
  最大栅源电压 (Vgs):±20V
  连续漏极电流 (Id):41A
  总功耗 (Ptot):32W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装尺寸:5mm x 6mm

特性

TPT7741F-SOBR 的关键特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻:在 10V 栅源驱动电压下,其 Rds(on) 典型值仅为 35mΩ,显著降低了传导损耗。
  2. 高电流承载能力:该 MOSFET 可以支持高达 41A 的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 宽工作电压范围:其漏源电压 (Vds) 最大可达 60V,适用于多种中低压系统。
  4. 快速开关性能:具备快速的开关速度,可有效减少开关损耗。
  5. 稳定性强:即使在极端温度条件下 (-55°C 至 +150°C),依然能够保持稳定的电气性能。
  6. 抗静电能力强:符合人体模型 (HBM) ±2kV 和机器模型 (MM) ±200V 的抗 ESD 标准。
  7. 小型化设计:采用标准的 SO-8 封装,节省电路板空间,便于布局与散热。

应用

TPT7741F-SOBR 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):用于主开关管或同步整流管,提升转换效率。
  2. DC-DC 转换器:作为高频开关元件,实现高效的电压调节。
  3. 电池管理系统 (BMS):用作保护开关或负载切换控制。
  4. 电机驱动:为小型直流电机提供精确的电流控制。
  5. 汽车电子:适用于车载充电器、LED 驱动器等对可靠性要求较高的场合。
  6. 工业自动化:用于工业控制器中的功率开关部分。
  7. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等。

替代型号

TPT7741E-SOBR, IRFZ44N, FDP5800

TPT7741F-SOBR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价