时间：2025/5/8 10:56:05
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TPT7721F-SO1R-S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等功率电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合在高频开关应用中使用。
该型号属于TO-252（DPAK）封装，能够提供较高的电流处理能力和散热性能。其典型应用场景包括消费类电子产品、工业控制设备以及通信电源系统。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：30mΩ
栅极电荷：11nC
反向恢复时间：9ns
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 超低导通电阻设计，降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频电路。
3. 高雪崩能量能力，增强可靠性。
4. 具备ESD保护功能，提升抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 小型化封装，便于PCB布局与散热管理。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 工业自动化设备中的电机驱动。
6. 通信设备中的高效电源转换。
7. LED驱动器的功率级控制。
TPT7721F-D2PAK-S
TPL7721F-SO1R-S
IRF7721
