时间：2025/3/24 15:45:35
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FQD8P10TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用 TO-220 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。
这款功率 MOSFET 通过优化的芯片设计实现了低损耗和高可靠性，适合需要高效能量转换的应用场合。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：16A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：90mΩ
工作结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低传导损耗。
2. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 具备优异的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于各种工业及消费类电子产品。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提高效率。
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 各种需要高效功率切换的应用场景。
FQP16N10,
FDP18N10,
IRFZ14G
