时间：2025/9/6 15:27:41
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2SK2925ST5L-E 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、功率开关和DC-DC转换器等应用中。该器件采用先进的工艺制造，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适合在需要高效率和高性能的电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：10A（连续）
最大功耗(Pd)：2.5W
导通电阻(Rds(on))：约0.028Ω（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
2SK2925ST5L-E MOSFET采用先进的沟槽式结构技术，使其在相同的封装下具有更低的导通电阻和更高的电流处理能力。这种设计不仅提高了器件的效率，还降低了功率损耗，从而减少了发热，提高了可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准的5V和10V驱动，适合多种控制器或驱动器的使用场景。此外，其封装形式SOT-223提供了良好的散热性能，适合在高密度电路板上使用。
由于其出色的开关特性，2SK2925ST5L-E适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电源管理系统等。其宽泛的工作温度范围也使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
2SK2925ST5L-E MOSFET通常用于以下应用领域：
? 电源管理系统：如DC-DC转换器、稳压器、负载开关等。
? 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品。
? 电机控制：用于小型电机驱动电路中，实现对电机的高效控制。
? 汽车电子：用于汽车中的电源管理模块、照明系统等。
? 工业控制系统：如自动化设备、工业机器人等需要高效功率开关的场合。
2SK2925ST5L-E的替代型号包括：2SK2925, 2SK2925SL, 2SK2925S, 2SK2925S-TE1。
