2SK2925ST5L-E 是一款由东芝(Toshiba)公司制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、功率开关和DC-DC转换器等应用中。该器件采用先进的工艺制造,具有较高的开关速度和较低的导通电阻,适合在需要高效率和高性能的电子设备中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):10A(连续)
最大功耗(Pd):2.5W
导通电阻(Rds(on)):约0.028Ω(典型值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-223
2SK2925ST5L-E MOSFET采用先进的沟槽式结构技术,使其在相同的封装下具有更低的导通电阻和更高的电流处理能力。这种设计不仅提高了器件的效率,还降低了功率损耗,从而减少了发热,提高了可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持标准的5V和10V驱动,适合多种控制器或驱动器的使用场景。此外,其封装形式SOT-223提供了良好的散热性能,适合在高密度电路板上使用。
由于其出色的开关特性,2SK2925ST5L-E适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电源管理系统等。其宽泛的工作温度范围也使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
2SK2925ST5L-E MOSFET通常用于以下应用领域:
? 电源管理系统:如DC-DC转换器、稳压器、负载开关等。
? 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品。
? 电机控制:用于小型电机驱动电路中,实现对电机的高效控制。
? 汽车电子:用于汽车中的电源管理模块、照明系统等。
? 工业控制系统:如自动化设备、工业机器人等需要高效功率开关的场合。
2SK2925ST5L-E的替代型号包括:2SK2925, 2SK2925SL, 2SK2925S, 2SK2925S-TE1。