时间：2025/8/13 17:51:43
阅读：14
MDBR-A12 是一款由 IXYS（现隶属于 Littelfuse）制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模块。该模块设计用于高功率应用，具有出色的热管理和电气性能，适用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。MDBR-A12 结合了高效率和紧凑的设计，能够在恶劣的工作环境下提供稳定可靠的性能。
类型：MOSFET 模块
漏源电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ
封装类型：双列直插式（DIP）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻（Rth）：0.65°C/W
短路耐受能力：有
隔离电压：2500Vrms
MDBR-A12 是一款高性能的 MOSFET 模块，具有低导通电阻和高电流承载能力，能够在高电压条件下提供高效的功率转换。其导通电阻仅为 120mΩ，使得在高负载条件下损耗最小化，从而提高整体系统的效率。
该模块的漏源电压为 1200V，连续漏极电流可达 36A，适用于高压和高功率的应用场景。此外，MDBR-A12 采用了先进的封装技术，提供良好的热管理能力，热阻为 0.65°C/W，确保在高功率运行时保持较低的结温，延长器件的使用寿命。
该器件具有出色的短路耐受能力，可在异常工作条件下提供额外的安全保障。其双列直插式（DIP）封装形式便于安装和散热，适用于各种工业应用。此外，模块的隔离电压高达 2500Vrms，确保在高压环境中的安全运行和电气隔离。
MDBR-A12 MOSFET 模块广泛应用于高功率和高压场景，例如变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。由于其出色的电气特性和热稳定性，该模块也适用于需要高可靠性的电力电子设备，如电源转换器和直流-交流逆变器。此外，该模块在电焊机、电动汽车充电设备和储能系统中也有广泛应用。
IXYS IXAN600N120, Infineon FFSP030N120T, STMicroelectronics STP30NM60N
