时间：2025/12/26 22:22:31
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TPSMD26A是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的瞬态电压抑制二极管（TVS，Transient Voltage Suppressor），主要用于电路中的过压保护。该器件采用表面贴装SMC（DO-214AB）封装，适用于需要高浪涌电流承受能力的场合。TPSMD26A属于双向TVS二极管，意味着它可以对正负两个方向的瞬态电压进行有效钳位，因此特别适合用于交流信号线或可能受到反向电压冲击的直流线路中。其设计目标是为敏感电子设备提供快速响应的静电放电（ESD）、雷击感应、电感负载切换等引起的瞬态过电压保护。该器件具有低动态电阻和高能量吸收能力，能够在纳秒级时间内响应过压事件，将电压钳制在安全范围内，从而保护下游电路元件不被损坏。
TPSMD26A的标称击穿电压约为29V，最大反向关断电压为26V，能够承受IEC 61000-4-2规定的8kV接触放电和15kV空气放电等级的ESD冲击。其峰值脉冲功率可达600W（10/1000μs波形），可多次承受额定浪涌电流而不发生性能退化。由于其优良的电气特性和可靠的封装工艺，TPSMD26A广泛应用于工业控制、通信接口、消费类电子产品以及汽车电子等领域。
类型：双向TVS二极管
封装：SMC（DO-214AB）
反向工作电压（VRWM）：26 V
击穿电压（VBR）：最小29 V，最大31.6 V
测试电流（IT）：1 mA
最大钳位电压（VC）：45.4 V（在IPP = 7.05 A时）
峰值脉冲电流（IPP）：7.05 A（基于600W, 10/1000μs波形）
峰值脉冲功率（PPPM）：600 W（10/1000μs）
漏电流（IR）：≤ 1 μA @ 26 V
极性：双向
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
TPSMD26A具备出色的瞬态过压保护能力，其核心优势在于快速响应时间和高能量吸收性能。当电路中出现瞬态高压事件（如雷击感应、开关噪声或静电放电）时，该TVS二极管能在极短时间内（通常小于1纳秒）从高阻态切换到低阻导通状态，迅速将过电压钳制在安全水平，防止其传递至后级敏感器件。这种快速动作机制使其成为保护微处理器、接口芯片、电源管理单元等关键组件的理想选择。
该器件采用硅PN结雪崩技术制造，在反向击穿状态下能稳定工作而不会造成永久性损坏。其双向结构设计允许它在交流线路或极性可能反转的应用中使用，无需考虑输入电压的方向性问题。此外，TPSMD26A具有较低的漏电流（典型值低于1μA），在正常工作条件下几乎不消耗系统功耗，也不会引入额外的信号损耗，非常适合用于低功耗或高精度模拟电路的保护。
机械方面，SMC封装提供了良好的热传导性和焊接可靠性，支持自动化贴片生产流程，适用于大规模制造场景。该封装还具备较高的机械强度和耐热循环能力，确保在恶劣环境下的长期稳定性。TPSMD26A符合RoHS环保标准，并通过了多项国际电磁兼容性（EMC）认证，可用于要求严苛的工业与汽车应用中。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也保证了在极端气候条件下的可靠运行。
TPSMD26A广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的信号端口保护，例如RS-232、RS-485通信接口，这些线路容易因长距离布线而耦合外部干扰或遭受雷击感应电压。在此类应用中，TPSMD26A并联于信号线上，一旦检测到超过安全阈值的瞬变电压，立即导通并将能量泄放到地，从而保护主控芯片不受损害。
在消费类电子产品中，如家用电器、智能仪表和电源适配器中，该器件用于电源输入端的初级保护，抵御来自电网的浪涌电压（如开关操作引起的电压尖峰）。同时，也可用于USB端口、音频接口等易受人为ESD影响的位置，提升产品的耐用性和用户体验。
在汽车电子领域，尽管其未专门标称为AEC-Q101认证产品，但仍可应用于非关键性的车载辅助电路中，如车载充电器、娱乐系统接口等，提供一定程度的电磁干扰防护。此外，TPSMD26A还可用于传感器模块、PLC输入输出卡、安防监控设备等，作为第一道防线抵御环境中的电气瞬变威胁，提高整个系统的抗扰度和可靠性。
SMBJ26A
SMCJ26CA
P6SMB26A
