时间：2025/8/14 21:10:04
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MMDT4401_R1_00001是一款由Rohm Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列，专为高频率和高速开关应用设计。该器件包含两个独立的NPN晶体管，每个晶体管具有相同的电气特性，使其非常适合用于需要匹配晶体管对的应用场景。MMDT4401_R1_00001采用SOT-23-6小型封装，具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于射频（RF）放大器、振荡器和高速开关电路等应用。
晶体类型：双极型晶体管（BJT）
晶体管配置：双NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大发射极-基极电压（Veb）：5 V
最大功耗（Pd）：300 mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积（fT）：100 MHz
封装类型：SOT-23-6
MMDT4401_R1_00001的每个晶体管都具有优异的高频响应，适用于需要高增益和低噪声放大的电路设计。其双晶体管结构确保了在需要匹配参数的应用中的一致性，如差分放大器和推挽式电路。此外，该器件具有较低的基极电阻，有助于减少高频应用中的噪声干扰。SOT-23-6封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和高频性能。晶体管的增益带宽积为100 MHz，确保在高频下仍能保持良好的放大性能。同时，其低饱和电压特性使其在开关电路中表现优异，能够快速导通和关断，减少开关损耗。
MMDT4401_R1_00001的电气特性在宽温度范围内保持稳定，适合在恶劣环境下使用。由于其紧凑的封装和高性能特点，该器件广泛应用于无线通信、消费电子和工业控制系统等领域。
MMDT4401_R1_00001常用于射频放大器、振荡器、高速开关电路、差分放大器和推挽式功率放大器等高频电路设计中。由于其双晶体管配置和优异的匹配性能，它也适用于模拟乘法器、混频器和射频接收器前端电路。在消费电子产品中，该器件可用于音频放大器和信号处理电路。在工业控制系统中，它可以用于传感器信号放大和高速数据采集系统。此外，MMDT4401_R1_00001还广泛应用于无线局域网（WLAN）、蓝牙模块和射频识别（RFID）系统等无线通信设备。
MMBT4401, MMBT4403, BC847, 2N3904
