类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　最大发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：120-800（根据等级不同）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92

2SD1760（Q120-270）晶体管具有一系列优异的电气特性，使其在高频应用中表现出色。其最大集电极-发射极电压为50V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源条件下的电路设计。晶体管的最大集电极电流为150mA，能够在较高的电流负载下稳定工作。
　　此外，2SD1760（Q120-270）具有较高的电流增益（hFE），范围从120到800，具体取决于等级。这种高增益特性使其非常适合用于需要信号放大的应用，如音频前置放大器和射频信号放大器。晶体管的截止频率（fT）为100MHz，表明其能够在较高的频率下保持良好的放大性能，适用于高频振荡器和放大器的设计。

2SD1760（Q120-270）晶体管广泛应用于高频电子电路中。常见的应用包括射频（RF）和中频（IF）放大器、振荡器、混频器以及各种开关电路。由于其高增益特性，该晶体管常用于音频前置放大器的设计，以提高信号的幅度。此外，它还可以用于数字逻辑电路中的开关元件，提供快速的导通和关断特性。在通信设备中，2SD1760（Q120-270）可以用于构建射频信号放大器，确保信号在传输过程中的稳定性和完整性。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该晶体管也适用于工业控制和汽车电子系统中的各种电子控制单元。

2N3904, BC547, 2SC2228