TPL803150Q-ST4R-S 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,主要应用于高密度电源适配器、快速充电器和工业电源等场景。该器件采用创新的半桥拓扑结构,集成了高性能驱动器和保护功能,能够显著提高系统的效率和功率密度。其设计优化了开关损耗和热性能,同时支持高频工作,从而缩小了整体解决方案的尺寸。
该型号中的“ST4R”表示特定的封装类型和配置选项,适用于对可靠性和环境适应性有较高要求的应用场景。
型号:TPL803150Q-ST4R-S
最大输入电压:600V
峰值电流:12A
导通电阻:150mΩ
开关频率范围:100kHz - 2MHz
封装类型:ST4R
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
隔离耐压:3kVrms
静态功耗:≤10μA
TPL803150Q-ST4R-S 的核心特性包括高效率、低开关损耗以及出色的热管理能力。它采用了先进的 GaN FET 技术,使得在高频条件下依然保持极低的导通电阻和电容效应。
此外,该芯片内置多重保护机制,例如过流保护、短路保护和过温关断功能,确保系统在异常情况下仍然安全运行。
其半桥架构支持同步整流和图腾柱 PFC 等复杂电路设计,极大地简化了外围元件的选择与布局过程。
由于支持宽泛的工作电压范围(最高可达 600V),因此非常适合用于需要承受高电压输入的 AC-DC 转换器或 DC-DC 升降压模块。
该芯片广泛应用于消费电子领域,例如 USB-PD 快速充电器、笔记本电脑适配器和智能家居设备的电源供应单元。同时,在工业领域中,也可用作 LED 驱动电源、通信基站电源以及光伏逆变器的核心组件。
得益于其紧凑的封装形式和高频工作能力,TPL803150Q-ST4R-S 能够帮助工程师实现更高功率密度的设计目标,满足现代电子产品对小型化和高效化的双重要求。
TPL803100Q-ST4R-S
TPL803150Q-SMTR-S
GaN067-18SA
PSMN0R9-30YL