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LM5109BQNGTRQ1 发布时间 时间:2025/4/29 15:35:40 查看 阅读:2

LM5109BQNGTRQ1 是一款高性能的同步整流控制器,专为高频、高效率的电源应用设计。它能够驱动NMOS功率开关管,从而提升电源转换效率并降低功耗。该器件适用于隔离式DC-DC转换器、反激式变换器以及其他需要同步整流的场合。
  LM5109BQNGTRQ1 采用SOIC-8封装形式,具有宽输入电压范围和较低的静态电流消耗,非常适合于中小功率的离线和分布式电源系统。

参数

工作电压:4.5V~70V
  最大栅极驱动电流:±2A
  最低导通阈值:30mV
  关断时间延迟:250ns
  静态电流:60μA
  工作温度范围:-40℃~125℃
  封装类型:SOIC-8

特性

LM5109BQNGTRQ1 具备以下主要特性:
  1. 宽泛的工作电压范围支持多种应用场景;
  2. 高速栅极驱动能力确保了与现代高效功率MOSFET的兼容性;
  3. 内置低导通阈值检测电路以实现快速准确的导通控制;
  4. 提供可调的关断延迟时间以优化不同频率下的性能;
  5. 极低的静态电流有助于提高整体系统效率;
  6. 工作温度范围广,适应各种环境条件。

应用

LM5109BQNGTRQ1 可广泛应用于以下领域:
  1. 隔离式DC-DC转换器中的同步整流;
  2. 反激式变换器的设计,特别适合于小体积高效率的适配器. 通信设备中的电源模块;
  4. 工业自动化系统的辅助电源部分;
  5. LED照明驱动电源中作为效率优化的关键组件。

替代型号

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LM5109BQNGTRQ1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,500 : ¥5.36618卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电8V ~ 14V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH0.8V,2.2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)1A,1A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)108 V
  • 上升/下降时间(典型值)15ns,15ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(4x4)