类型：双N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-363 (SC-88)
　　漏源电压(VDSS)：50V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：100mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：400mA
　　导通电阻(RDS(on))：1.2Ω @ VGS=5V, 1.4Ω @ VGS=2.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：0.45V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：12pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：1.5pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：5ns
　　关断延迟时间(td(off))：10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(PD)：200mW

DDA114EU-7-F具备优异的开关性能和低静态功耗，适合高频开关应用。其核心优势在于采用了先进的Trench MOS工艺，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体能效。同时，该工艺还优化了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，这对提高电源系统的整体效率至关重要。
　　该器件的低栅极阈值电压使其能够在低至1.8V或3.3V的逻辑信号下可靠开启，非常适合与现代低电压微处理器、FPGA或ASIC直接连接，无需额外的电平转换电路。这不仅降低了系统复杂性，也减少了外围元件数量，有助于缩小PCB布局面积。
　　SOT-363封装具有极小的占位面积（约2.1mm x 1.6mm），非常适合对空间敏感的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块和无线传感器节点。尽管体积小巧，但其热性能经过优化，在适当的PCB布线散热设计下可满足典型负载需求。
　　此外，DDA114EU-7-F具有良好的热稳定性与长期可靠性，通过了严格的AEC-Q101车规级测试（如有认证版本），可用于部分汽车电子环境。其静电放电（ESD）防护能力较强，HBM模型下可达±2000V，增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。
　　该MOSFET还具备较低的漏电流（IDSS < 1μA @ VDS=50V），确保在关断状态下几乎不消耗能量，这对于延长电池寿命至关重要。总体而言，DDA114EU-7-F是一款集高性能、小型化、低功耗于一体的双N沟道MOSFET，适用于多种中低功率开关场景。

DDA114EU-7-F广泛应用于需要高效、紧凑型开关解决方案的各类电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的负载开关或电源路径控制，例如在智能手机和平板电脑中用于控制显示屏背光、摄像头模组或外设电源的通断。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择。
　　在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电回路的隔离控制，防止反向电流流动，同时减少能量损耗。它也可作为LED驱动电路中的开关元件，配合PWM调光信号实现精确亮度调节。
　　在通信模块如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线收发器中，DDA114EU-7-F常被用来控制射频前端或基带芯片的供电，实现按需上电以节省待机功耗。此外，在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）周边电路中，它可用作GPIO扩展驱动器或电平转换开关，驱动继电器、传感器或其他外围设备。
　　工业控制领域中，该器件适用于PLC输入输出模块、信号切换电路以及低功率电机驱动中的逻辑开关环节。由于其稳定的工作温度范围和可靠的封装质量，也能适应较为严苛的环境条件。
　　在汽车电子中，虽然其电流能力有限，但仍可用于车内信息娱乐系统、车载传感器供电管理或车身控制模块中的低电流开关任务。总之，凡涉及低电压、小电流、高集成度的开关控制场合，DDA114EU-7-F均是一个值得考虑的优选器件。

DMG1014UW-7
　　FDC6314P
　　SI2301DDS-LP-E3
　　BSS138LT1G
　　ZXM61N02F