时间：2025/9/7 18:50:08
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2SJ245STR 是一款 P 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中。该器件采用高性能硅技术制造，具备优良的导通特性和快速开关能力，适用于需要高效率和稳定性的电源设计。2SJ245STR 通常采用 SOT-223 封装形式，具有良好的散热性能和较高的功率密度。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：-30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：-4.3A
导通电阻 Rds(on)：约 55mΩ（在 Vgs = -10V）
功率耗散：1.25W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
2SJ245STR 具备较低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其 P 沟道设计使其非常适合用于高端开关应用，例如在同步整流电路或负载开关中。此外，该器件的快速开关特性可减少开关损耗，提高转换器的效率。
该 MOSFET 在 -30V 的漏源电压下工作，适用于多种中低电压电源管理系统。其 SOT-223 封装提供了良好的热性能，便于在紧凑型设计中进行散热管理。此外，2SJ245STR 还具备较强的抗静电能力，提高了器件在实际应用中的可靠性。
由于其高栅极绝缘性能和稳定的电气特性，该器件适用于各种工业控制、电池供电设备、DC-DC 转换器和电源管理模块。此外，其高可靠性和成熟制造工艺确保了在恶劣环境下的稳定运行。
2SJ245STR 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源适配器以及工业控制电路等应用中。它在电源管理领域中特别适合用于实现高效率的功率转换和稳定的电流控制。此外，该器件也可用于便携式电子设备中的节能电路设计，以延长电池寿命并提升整体系统性能。
Si4435BDY-T1-GE3, IRF7404, FDS6680, 2SJ323, 2SJ355
