时间：2025/6/19 16:06:56
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201R07S120GV4T 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于高效率、高频开关场景。该芯片采用先进的 SiC 材料制造工艺，具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压性能。它适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车驱动系统以及其他需要高效能量转换的领域。
其封装形式和引脚设计适合表面贴装技术 (SMT)，从而提高了组装效率并减少了寄生参数的影响。
类型：功率 MOSFET
材料：碳化硅 (SiC)
最大漏源电压 Vds：1200V
连续漏极电流 Id：7A
导通电阻 Rds(on)：201mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：85nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247-4L
201R07S120GV4T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，使得器件在高频应用中表现优异。
3. 高击穿电压 (1200V)，保证了在高压环境下的可靠运行。
4. 支持更高的工作温度 (最高达 175℃)，增强了系统的热稳定性和耐用性。
5. 内置反向恢复电荷极低的体二极管，优化了双向电流场景的应用性能。
6. 封装结构支持更低的热阻和更少的寄生电感，进一步提升了效率和可靠性。
这款功率 MOSFET 芯片适用于以下领域：
1. 工业级开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能光伏逆变器的核心功率模块。
3. 电动车牵引逆变器和车载充电机 (OBC)。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高频谐振电路及无线电力传输设备。
6. 各种需要高效能量转换的工业自动化控制装置。
CMF200D12W, C2M0075120D
