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TG2901SQ 发布时间 时间:2025/8/16 15:16:54 查看 阅读:26

TG2901SQ是一款由Toshiba(东芝)公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路。该芯片主要用于驱动高边和低边的N沟道MOSFET,在各种功率转换和电机控制应用中表现出色。其设计目标是提供高效率、高速开关以及可靠的保护功能,使其适用于如DC-DC转换器、H桥电机驱动器、同步整流器等高要求的应用场景。

参数

类型:MOSFET驱动器
  封装类型:16引脚SSOP或TSSOP
  工作电压范围:4.5V至20V
  峰值输出电流:典型值1.5A(拉电流/灌电流)
  输入信号兼容性:3.3V和5V逻辑电平
  导通延迟时间:典型值25ns
  关断延迟时间:典型值20ns
  驱动能力:适用于高边和低边MOSFET驱动
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

TG2901SQ具备多项高性能特性,首先其采用高边浮动电源设计,支持高达20V的电源电压,适用于多种功率拓扑结构。其次,该驱动器内置欠压锁定(UVLO)功能,可防止MOSFET在低电压条件下工作,从而提高系统稳定性与安全性。
  此外,TG2901SQ具有快速的开关能力,其导通和关断延迟时间均控制在纳秒级别,有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。同时,该器件还具备交叉传导保护机制,有效防止上下桥臂MOSFET同时导通,避免短路和过热情况的发生。
  在封装方面,TG2901SQ采用16引脚SSOP或TSSOP封装形式,体积小巧,适合在高密度PCB设计中使用。其宽广的工作温度范围(-40°C至+125°C)也使其在工业级和汽车电子应用中具有良好的适应性。

应用

TG2901SQ广泛应用于需要高效MOSFET驱动的各类功率电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该芯片可用于驱动同步整流器中的高边和低边MOSFET,提高转换效率;在H桥电机驱动电路中,TG2901SQ可以有效控制电机的正反转、制动和自由运行状态,适用于工业自动化和机器人控制领域。
  此外,该器件还适用于电源管理模块、电动工具、电动车辆的功率系统以及各类工业变频器设备。由于其具备高可靠性和抗干扰能力,TG2901SQ也可用于汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

如果无法获得TG2901SQ,可考虑使用功能相近的IC型号作为替代,例如IR2104、LM5101B或TC4420。这些型号在驱动能力、工作电压范围和封装形式方面与TG2901SQ具有一定兼容性,但在具体应用中仍需根据系统需求进行详细评估和测试。

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