ULN2003BDR是一款高电压、高电流达林顿晶体管阵列芯片,由STMicroelectronics制造。该芯片包含7个独立的达林顿对管,每个对管由一对NPN晶体管组成,用于增强电流驱动能力。ULN2003BDR广泛用于继电器、步进电机、LED显示器和其他需要高电流驱动能力的电路中。芯片采用SO16封装,具有高可靠性和良好的热稳定性。
电路数:7
最大集电极-发射极电压:50V
最大集电极电流:500mA/通道
最大基极电流:25mA/通道
最大工作温度:150°C
封装类型:SO16
ULN2003BDR的每个达林顿对管具有高电流增益,能够有效放大输入信号以驱动大电流负载。其高耐压能力使其适用于多种工业和消费类应用。芯片内部集成了续流二极管,可有效保护晶体管免受电感负载反向电动势的影响,提高电路的可靠性和稳定性。此外,ULN2003BDR的封装设计使其易于安装在印刷电路板上,并具有良好的散热性能。
ULN2003BDR的工作温度范围较宽,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其高集成度设计减少了外围元件的数量,简化了电路设计,提高了系统的可靠性。此外,该芯片的低饱和电压特性有助于减少功率损耗,提高能效。
ULN2003BDR的每个通道可以独立工作,互不干扰,适用于多路控制应用。其高输入阻抗特性使得驱动电路的设计更加简单,减少了对外部驱动元件的需求。
ULN2003BDR常用于需要高电流驱动能力的场合,如继电器驱动、步进电机控制、LED显示器驱动、打印机和复印机等办公设备。此外,该芯片也广泛应用于工业自动化控制系统、家电控制电路和汽车电子系统中。其高可靠性和良好的性能使其成为许多高电流驱动应用的首选芯片。
ULN2003ADT, ULN2003APG, ULN2003A, ULN2004A