时间：2025/5/12 8:48:18
阅读：4
TPHR6503PL,L1Q(M) 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 (MOSFET)，广泛用于需要高效开关和低导通电阻的应用中。该器件采用小尺寸封装，适合空间受限的设计场景，同时具备出色的电气性能和可靠性。
型号：TPHR6503PL
封装：L1Q(M)
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：84A
Vgs（栅源极电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：47nC
EAS（雪崩能量）：240mJ
f（工作频率范围）：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
TPHR6503PL,L1Q(M) 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这使得它非常适合要求高效率和低功耗的应用场景。此外，该 MOSFET 支持较高的漏源极电压和大电流处理能力，确保在高压和大电流条件下依然保持稳定运行。
其封装形式 L1Q(M) 提供了优良的热性能和电气连接，有助于降低寄生电感和提高整体系统的可靠性。
该器件还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，可减少开关损耗并优化高频应用中的表现。
另外，该 MOSFET 的工作温度范围较宽，能够在极端环境下可靠运行，适用于工业、汽车及消费电子领域。
TPHR6503PL,L1Q(M) 常用于以下应用：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节。
5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
6. LED 驱动器和逆变器等需要高效功率转换的场合。
TPH2R602PL,M1Q(T)
