TPH7R006PL 时间：2025/8/2 6:26:01 阅读：23

TPH7R006PL是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的U-MOS VIII-H技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。TPH7R006PL采用SOP Advance（表面贴装）封装，具备良好的热管理和空间利用率，适合高密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：7.7mΩ（最大值，VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP Advance

特性

TPH7R006PL的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高负载条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件采用东芝专有的U-MOS VIII-H技术，提供卓越的开关性能，降低开关损耗并提高响应速度。此外，SOP Advance封装具备良好的热传导性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性。TPH7R006PL还具有出色的雪崩耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　该MOSFET的栅极设计优化了输入电容和反向恢复特性，使其在高频开关应用中表现出色。同时，其宽泛的工作温度范围确保在极端环境下的稳定运行。器件内部结构优化降低了寄生电感，从而减少高频开关时的电磁干扰（EMI）。此外，TPH7R006PL具备良好的短路耐受能力，适用于电机驱动和电源管理等要求严苛的应用场景。

应用

TPH7R006PL广泛应用于各类高效率功率转换系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。该器件特别适合需要高效率、高可靠性和高功率密度的现代电源管理系统，如服务器电源、电信设备和电动汽车充电模块。由于其优异的热管理和开关性能，也常用于需要高频工作的电源拓扑结构中，如LLC谐振变换器和同步降压变换器。