容量：128Mbit（16MB）
　　组织结构：16位数据总线（x16）
　　访问时间：70ns
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：56引脚TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行NOR Flash接口
　　擦写周期：10万次以上
　　数据保持时间：10年以上

MBM29F160TE-70TN-LE1 是一款高性能的并行NOR Flash存储器，其主要特性包括高速访问时间（70ns），能够满足对数据读取速度要求较高的应用场景。该器件采用16位并行接口设计，支持快速的随机读取操作，适用于代码执行（Execute-In-Place, XIP）应用。其工作电压范围为2.7V至3.6V，具有良好的电压兼容性，适用于多种系统设计。
　　该芯片的存储单元结构为128Mbit，组织为16MB x16位，支持页编程和块擦除功能，具备10万次以上的擦写寿命，数据保持时间长达10年，确保了长期使用的可靠性。此外，MBM29F160TE-70TN-LE1 支持多种软件命令集（如JEDEC标准），便于与主控器进行兼容与通信。
　　在封装方面，该芯片采用56引脚TSOP封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，适用于严苛环境下的嵌入式系统、通信设备、工业控制模块等应用场合。该芯片还具备低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。

MBM29F160TE-70TN-LE1 主要用于需要高速代码存储和数据保存的嵌入式系统中，例如路由器、交换机、工业控制器、医疗设备、人机界面（HMI）、智能仪表、车载导航系统以及各种工业和通信设备。其XIP特性使其适用于直接执行程序代码的应用，无需将代码加载到RAM中，从而简化系统架构并提高启动速度。

AM29LV160DB-70RE, MX29LV160BBTC-70G, S29AL016J70TF102