SEMIX151GD12T4S 是一款由赛米控(SEMIKRON)制造的功率模块,专为高效率和高可靠性的电力电子应用设计。该模块属于IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块系列,集成了IGBT芯片和快速恢复二极管,适用于高功率密度和高频开关操作的应用场景。模块采用了半桥拓扑结构,具备较高的集成度和优化的封装设计,适合用于工业电机驱动、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器等高要求的应用。
类型:IGBT模块
拓扑结构:半桥结构
集电极-发射极电压(VCES):1200V
集电极电流(IC):150A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:SkiN(双面散热)
栅极驱动电压:±15V
短路耐受能力:6倍额定电流下5μs
热阻(Rth):0.23 K/W(结到壳)
安装方式:螺钉安装
绝缘材料:陶瓷基板
SEMIX151GD12T4S 模块采用了赛米控独有的 SkiN 封装技术,提供了双面散热能力,极大地提高了模块的热管理和可靠性。这种封装结构允许模块在高功率密度和高工作频率下保持稳定的性能。模块的半桥拓扑结构包括两个IGBT和两个反向并联的快速恢复二极管,能够支持双向能量流动,非常适合于需要高效能和快速切换的场合。
此外,模块具有较低的寄生电感,这有助于减少开关损耗并提高系统的整体效率。同时,模块内部的芯片布局经过优化,以确保均匀的电流分布,从而降低热点的形成风险,提高长期运行的可靠性。模块还具有良好的绝缘性能和耐压能力,确保在高压和高湿度环境下的安全运行。
SEMIX151GD12T4S 的设计符合 RoHS 环保标准,广泛应用于电动汽车、工业变频器、光伏逆变器、储能系统等领域。模块的高集成度和紧凑设计使得系统设计更加简洁,减少了外部元件的需求,提高了整体系统的可靠性。
该模块主要应用于需要高功率密度、高频开关和高效能的电力电子系统中。例如,在工业电机驱动中,SEMIX151GD12T4S 可用于变频器的逆变部分,提供高效的电能转换;在电动汽车领域,该模块可应用于车载充电系统和电机控制器中,满足高可靠性和高效率的要求;在可再生能源领域,如光伏逆变器和风力发电变流器中,模块可以实现高效的直流-交流转换;此外,该模块也适用于储能系统中的双向变流器,支持能量的双向流动和高效管理。
SKM150GB12T4, FS150R12W1T4_B11, FF150R12W1T4_B11