时间：2025/5/8 13:20:51
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TPH2R608NH,L1Q(M) 是一款 N 沱道功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的制程技术制造，广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关和低导通损耗的场景。
该器件具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够有效减少系统功耗，提高整体效率。
型号：TPH2R608NH,L1Q(M)
类型：N 沱道 MOSFET
封装：L1Q(M)
Vds（漏源极电压）：80V
Rds(on)（导通电阻）：2.6mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（持续漏电流）：137A
Qg（栅极电荷）：45nC
Eoss（输出电容能量损耗）：39μJ
Ptot（总功率耗散）：160W
TPH2R608NH,L1Q(M) 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可降低导通损耗，从而提升效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场景。
3. 优化的栅极电荷设计，实现快速开关性能并减少开关损耗。
4. 良好的热性能表现，有助于提升系统的稳定性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款 MOSFET 主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. DC-DC 转换器中的高效开关元件。
3. 电动工具、家电产品和工业设备中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 各类高电流密度应用，例如服务器和通信电源模块。
TPH2R808NH, TPH2R408NH
