时间：2025/4/25 18:55:13
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CBW201209U900T是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，主要用于高频开关电源和功率变换场景。该芯片采用先进的封装工艺，能够实现高效率、高功率密度的设计目标。其内置驱动电路与保护功能，使得系统设计更加简化且可靠。
CBW201209U900T在开关频率、导通电阻及热性能方面表现出色，适用于消费电子、工业设备以及新能源领域的多种应用。
型号：CBW201209U900T
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：9A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率：高达3MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TO-247-4L
CBW201209U900T具有以下主要特性：
1. 低导通电阻（90mΩ），有助于降低功耗并提升效率。
2. 高开关频率支持（最高可达3MHz），适合高频应用场景。
3. 内置过流保护、过温保护功能，增强系统可靠性。
4. 简化的外围电路设计，减少元件数量，优化PCB布局。
5. 良好的热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
6. 支持宽输入电压范围，适应性强，满足多种电源设计需求。
CBW201209U900T广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（AC-DC、DC-DC）
2. 充电器（如快充头）
3. 适配器
4. 太阳能逆变器
5. 工业电源
6. 电机驱动
7. LED照明电源
8. 通信电源系统
CBW201209U650T, CBW201209U1000T
