LG1152AN-B2 时间：2025/4/29 11:23:22 阅读：19

LG1152AN-B2 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沃特（N-Channel）功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和高效率的开关性能，同时具有出色的热稳定性和可靠性。
　　LG1152AN-B2 的设计目标是为各种工业及消费类电子应用提供高性能和高性价比的解决方案。

参数

最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：134A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
　　总栅极电荷（Qg）：82nC
　　输入电容（Ciss）：5900pF
　　输出电容（Coss）：370pF
　　反向传输电容（Crss）：180pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on) = 1.5mΩ @ Vgs = 10V），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定电流能力（Id = 134A），适合大功率应用场景。
　　3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg = 82nC）。
　　4. 采用 D2PAK 封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），适用于恶劣环境下的可靠运行。
　　7. 内置防静电保护机制，增强器件的抗干扰能力。

应用

1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 电机驱动电路中作为功率级开关。
　　3. 负载切换与保护电路中的功率开关。
　　4. 逆变器、DC/DC 转换器以及其他功率转换设备。
　　5. 工业自动化控制系统的功率输出级。
　　6. 大电流负载的通断控制，如汽车电子中的启动控制模块。
　　7. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。